近日，在2021 IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，英特尔公布了突破摩尔定律的三种新技术，这些技术的目标是在2025年之后还能使芯片技术继续发展，而其中就提及了二维材料。



据了解，英特尔提出用一种叫做TMD（过渡金属硫化物）的二维材料代替硅成为电流通道，特点是在通道下面，有一层非常薄的，单层的二硫化物原子层，可以作为更短的通道。



英特尔制造、供应链和营运集团副总裁、战略规划部联席总经理卢东晖指出，“硅的问题是无法继续往下缩，再往下缩会出现很多量子效应，但二维材料有自己本身的特质，所以可以做得非常小。”英特尔在材料上最大的突破是用两种不同的金属去做金属接触，NMOS用的是锑，PMOS用的是钌，这样能让电容更小。



英特尔表示将单层二硫化钼MoS?应用于硅芯片连接层可以使得间距从15nm缩小至5nm，解决传统硅芯片的物理限制。
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