众所周知，晶圆的原始材料是硅，硅作为一种半导体可以通过引入少量杂质的方法，调节为良好的导体或者绝缘体。然而，随着近年来集成电路的制程进入5nm以下，晶体管的尺寸不断缩小逼近其物理极限，传统的硅基材料越来越难以支撑集成电路性能的进一步发展。



二维材料是一种从2004年发展起来的新材料，以过渡金属硫族化合物（TMDC）为代表，包括通式为MX2的过渡金属二卤化物（TMD），其中M为过渡金属（例如，Mo或W），X为硫族元素（例如S、Se或Te）。这种材料具有极限厚度、高迁移率和后端异质集成等特点，将有望变革传统集成电路的架构，受到了学术界和工业界的关注。



目前，英特尔、三星、台积电等处于芯片技术前沿的大厂们都已布局这个领域。为了应对未来芯片危机，欧洲也致力于石墨烯等二维材料研发。此外，我国北京大学、南京大学等也在这个领域取得了技术突破。
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