9月2日高盛最新报告指出，中国国产光刻机仅能生产65nm工艺芯片，较ASML落后约20年；中国虽能产7nm芯片，或仍依赖ASML老旧DUV深紫外光刻机，且尚不具备制造该设备的能力。目前ASML已发展两代EUV极紫外光刻机，最新High-NA EUV已交付Intel、台积电、三星，对1.4nm以下工艺至关重要，其重180吨、体积如双层巴士，单台价格超4亿美元。
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