目前可以量产的是7nm的

可以量产 但是暂时没有商业价值的是5nm的


在先进工艺发展路线中，5nm以下节点都转向了EUV工艺，DUV光刻微缩到7nm就已经很难，但这显然不是国内发展的极限，未来可能一路做到2nm级别。

国内的半导体工艺在未来几年中需要在无EUV的情况下发展，但是即便不考虑外部制裁的影响，追求DUV光刻工艺极限也是需要发展的，国内也早就在做这些研究。

集邦科技科技日前的报道也旧事重提，指出华为早在2021年就发表了相关研究论文，提交的专利申请介绍了SAQP（自对准四重图案化）的技术，在没有EUV光刻机的情况下也能做到2nm级工艺。

该专利使用DUV光刻机及SAQP做出的芯片栅极距低于21nm，这正是2nm工艺的门槛水平。

这里需要强调的是，很多报道中把SAQP翻译成了四重光刻，这是错误的，四重图案不等于四重光刻，这两个意思有天渊之别，四重光刻不论技术上还是成本上都是不可接受的，几乎没有可能性。

此外，2nm工艺也不是华为等机构的终点，华为还申请了大量GAA环绕栅极晶体管以及CFET互补氧化物晶体管相关的专利，后者则是公认的1nm以下到0.1nm节点的关键技术之一。



【 在 flyingpetals 的大作中提到: 】
: 已经出来了，
: 为什么还总是说卡脖子
: 这个生产的是多少nm的
: ...................
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