都进入TRL 7了，就别扯哪些了。如下是解决问题的两条路线，看看自己思路被什么堵住了。
路线一：工艺与设计容错
接受含有少量金属性碳管的不完美材料，通过创新的电路设计和制造工艺来保证最终电路的正常工作。
DREAM设计技术：通过特殊的电路设计，让逻辑门对金属性碳管免疫，将半导体纯度要求从惊人的99.999999%大幅降低至可实现的99.99%。
RINSE工艺：通过选择性剥离，移除制造过程中形成的、影响良率的碳纳米管聚集体。
路线二：材料筛选与可控生长
在集成到晶圆前，从源头制备高纯度、高取向的半导体性碳纳米管薄膜。
溶液法提纯：通过化学方法选择性去除金属性碳管，获得99.9%以上纯度的半导体性碳管溶液。
衬底引导生长：在特定晶体结构的基底（如石英）上，直接生长出方向一致的碳纳米管阵列。
【 在 lxku 的大作中提到: 】
: 拍一张他们碳管的全景图，看看是不是一团乱麻
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