- 主题:鲲鹏930芯片5nm
考验套刻精度咯
SMIC买过1980Di
193nm ArF浸润式分辨率38nm
这个做四重曝光还OK
八重曝光就不够了
四重曝光精度是38nm / 4 = 9.5nm
这个是7nm制程的鳍片宽度的范围
【 在 earthmouse 的大作中提到: 】
: 理论上DUV多重曝光也可以，良率问题。
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修改:tgfbeta FROM 60.24.248.*
FROM 60.24.248.*
你知道鳍片宽度一般是一个工艺节点里最细的一个参数吧
所以按鳍片宽度来判定能力大体上是可靠的
【 在 earthmouse 的大作中提到: 】
: ……你数学挺好，但是你不知道后面的先进制程都是商品名，不是
: 实际的特征尺寸吗？
: 台积电的N5对应的实际特征尺寸是21-22nm,N3对应的实际特征尺寸
: ...................
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修改:tgfbeta FROM 60.24.248.*
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gate长度体现不出来套刻精度的限制
你得找个对套刻精度最敏感的参数来比
【 在 earthmouse 的大作中提到: 】
: 行业的规范通常是指gate的长度Lg，后面的商品名考虑的是晶体管密度，
: 哪儿来的用鳍片宽度命名的规范了？
: 真正关键的特征尺寸，如5nm的gate pitch和fin pitch，大约都在40-50
: ...................
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