理论上DUV多重曝光也可以，良率问题。

【 在 shuiumu2 的大作中提到: 】
: 不信 没有EUV做不出来这个
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FROM 125.107.111.*

行业的规范通常是指gate的长度Lg，后面的商品名考虑的是晶体管密度，
哪儿来的用鳍片宽度命名的规范了？

真正关键的特征尺寸，如5nm的gate pitch和fin pitch，大约都在40-50
nm了，根本不是字面上的5nm，而按照过去的规范，gate lenth也就是Lg
大约就是18-20nm左右。

【 在 tgfbeta 的大作中提到: 】
: 你知道鳍片宽度一般是一个工艺节点里最细的一个参数吧
: 所以按鳍片宽度来判定能力大体上是可靠的
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FROM 116.148.56.*