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主题:搞IC这样弄,追上美国不是很容易吗?
57楼
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kits
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2021-11-08 12:52:29
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了解一下stack工艺,比如sony在用hybrid bonding,有几代?
第一代仅仅是在外围有几个点接触,到bump bonding,再到现在点cu-cu。
你这想法大家都知道,只是说总是很容易,做就难了。
【 在 ann1122 的大作中提到: 】
:
: 美帝在芯片里盖平房,每两年容积率翻一番。那我们就盖楼房,那怕单层容积率每四年翻一番,只要盖三层以上楼房,总容积率增长速度就超过美帝了。为什么其他人都没想到这点呢?
#发自zSMTH@LIO-AN00
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FROM 101.82.151.*
58楼
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kits
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2021-11-08 13:02:23
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给你看一下ISSCC 2021年 sony的讲演,它使用了3层芯片的堆栈,所有sony商标带stack的,都说明使用了这个工艺。顺带说一下,三星,台积电都有这个工艺。这并不是什么新鲜玩意。
【 在 ann1122 的大作中提到: 】
:
: 美帝在芯片里盖平房,每两年容积率翻一番。那我们就盖楼房,那怕单层容积率每四年翻一番,只要盖三层以上楼房,总容积率增长速度就超过美帝了。为什么其他人都没想到这点呢?
#发自zSMTH@LIO-AN00
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FROM 101.82.151.*
60楼
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kits
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2021-11-08 13:58:16
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你仔细看一下,他们是不是只有存储堆叠。
另外,你主贴里面是说别人都想不到,就你想到了。我只是想告诉你,别人早就想到了。
之所以纯逻辑堆栈比较少,就是因为hybird bonding工艺的尺寸还没能提升到那么高。最初的拼贴那都是几um的工艺精度。
当然这是另一赛道,smic也在做,这方面也是tsmc和三星领先。
【 在 ann1122 @ [METech] 的大作中提到: 】
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: 你要知道,存储里面的三维堆叠,和逻辑芯片里的三维堆叠,是两种东西。整个日本,没有28纳米以下的工艺。
: 【 在 kits 的大作中提到: 】
: : 给你看一下ISSCC 2021年 sony的讲演,它使用了3层芯片的堆栈,所有sony商标带stack的,都说明使用了这个工艺。顺带说一下,三星,台积电都有这个工艺。这并不是什么新鲜玩意。[img=https://static.mysmth.net/nForum/att/METech/416311/650/middle][img=https://static.mysmth.net/nForum/att/METech/416311/108589/middle]
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#发自zSMTH@LIO-AN00
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FROM 101.82.151.*
63楼
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kits
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2021-11-08 14:05:04
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你说的这些,我没有意见。
看看你主贴说的什么,要不要我帮你回忆一下:
“美帝在芯片里盖平房,每两年容积率翻一番。那我们就盖楼房,那怕单层容积率每四年翻一番,只要盖三层以上楼房,总容积率增长速度就超过美帝了。为什么其他人都没想到这点呢?”
你这里的其他人说的都是谁?我给你贴的PPT里面的sony三层堆栈,三层芯片分别是传感器,SRAM与读出电路ADC,逻辑电路。说明人家sony早就想到你说的这个方法。
还有三星、台积电,早就有你说的这个工艺。就像你说的黄汉森。这是只有你想到吗?
那我要反问你了,怎么追上美国?你发展3D堆栈,人家美国就不发展?
【 在 ann1122 的大作中提到: 】
: 三星有ibm提供工艺,而ibm本身的工艺仍然来自黄汉森。黄汉森本人目前在台积电做资深副总。
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FROM 139.162.83.*
65楼
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kits
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2021-11-08 14:10:54
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但你文不对题啊,我们是要发展3D工艺,但这并不能得出“追上美国很容易”这个结论。毕竟韩国、日本、TSMC,还是要听美国的,这方面我们落后的也很多。。。
【 在 ann1122 的大作中提到: 】
: 不这样讲,能把思路狭隘、自以为是的个别基层码农调出来吗?不让他们在真理面前碰碰壁,他们就会自觉成为阻碍创新,不让别人讲话的顽固势力。
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FROM 139.162.83.*
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