谁想出来的，不重要。我反对的，是一线工程师层面上思路的僵化和死板。


【 在 dennisi123 的大作中提到: 】
: 芯片发展了几十年，很少有你能想到别人想不到的东西。
: 如果你觉得你想到了一个很niu的点子，多想想吧，到后来大概率你会发现有这样那样的问题。
: 所有的设计都是一种tradeoff。
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你也是从婴儿长大的，现在不是一样能站在这里靠谱的大放厥词。先有基因突变，然后基因重组，接着才是自然选择，适者生存。芯片也是一样，先有思路想法，后有实验室实现，然后验证全套工艺，最后才能规模量产。那有刚出生就包打天下的？
【 在 jocusperrin 的大作中提到: 】
: 痴人说梦啊
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: 这几个东西没一个靠谱的，没一个能在30年里实现的
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: 把自己的发展方向基于不靠谱的基础？

来自 NOH-AN00
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集成电路发展到今天，62年了，经历三个世代，正在开启第四个世代，每个世代都是从你所认为的不靠谱技术开始的。双极，cmos，finfet都曾经不靠谱过。
【 在 jocusperrin 的大作中提到: 】
: 蠢啊
:
: 集成电路制造是工程，不是科研。工程 工程 工程
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: 工程是必须基于成熟技术的。
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: 别先幻想人类达到光速旅行后要干点嘛，先能达到0.1的光速再说

来自 NOH-AN00
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谢谢你认同我的观点。神经形态体系结构，IBM团队2014年已经验证。碳管工艺，2015年美国斯坦福黄汉森团队已经验证，2019年黄汉森博士生在skywater厂验证中试线工艺。三维堆叠工艺，黄汉森团队2017年已经验证。2018年，灵活的专用化架构已在darpa验证，听说过电复兴计划吧？2020年，异构集成计划也在darpa启动。
【 在 jocusperrin 的大作中提到: 】
: no,过去的时代，都是基于实验室样片已经做出来了，证明原理上是靠谱的
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: 其“不靠谱”就因为良品率，在工程上不靠谱
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: 你看看你所说的那五条，哪个已经在实验室完成了？

来自 NOH-AN00
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你要知道，存储里面的三维堆叠，和逻辑芯片里的三维堆叠，是两种东西。整个日本，没有28纳米以下的工艺。而逻辑三维工艺，是1.5纳米工艺之后继续微细化的办法。索尼不可能有逻辑三维工艺。黄汉森的逻辑芯片管芯多层堆叠，层间导线键合密度在实验室阶段就已经达到每平方毫米10000根以上了。




【 在 kits 的大作中提到: 】
: 给你看一下ISSCC 2021年 sony的讲演，它使用了3层芯片的堆栈，所有sony商标带stack的，都说明使用了这个工艺。顺带说一下，三星，台积电都有这个工艺。这并不是什么新鲜玩意。[img=https://static.mysmth.net/nForum/att/METech/416311/650/middle][img=https://static.mysmth.net/nForum/att/METech/416311/108589/middle]

来自 NOH-AN00
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修改:ann1122 FROM 218.249.201.*
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