- 主题:铠侠的工艺到几个纳米了
2dnand 最小做到16nm。nand的存储单元晶体管是浮栅结构（floating gate/charge trap），有点部分长得跟finfet比较像，但是不好说是不是finfet。
现在主流大容量nand都是3d nand，最小线宽不在晶体管部分。
【 在 CQJN 的大作中提到: 】
: 请教一下
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发自「今日水木 on JSN-AL00」
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FROM 112.64.119.*
学习了
【 在 justmj 的大作中提到: 】
: 2dnand 最小做到16nm。nand的存储单元晶体管是浮栅结构（floating gate/charge trap），有点部分长得跟finfet比较像，但是不好说是不是finfet。
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: 现在主流大容量nand都是3d nand，最小线宽不在晶体管部分。
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FROM 116.233.64.*
NAND产品有其他更直白表征性能的办法，不用跟CPU一样搞等效线宽的文字游戏忽悠市场
【 在 kleinprince 的大作中提到: 】
: 学习了
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FROM 124.64.17.*
3D VNAND没听过？
【 在 CQJN (CQJN) 的大作中提到: 】
: 倒是听说最先进闪存里的器件做到了1x纳米，铠侠做到了2x纳米。不知道闪存里的器件是啥？不是finfet吗？
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FROM 118.251.89.*
应该问铠侠闪存做到了多少层了。
铠侠现在应该是170x层正在研发还没有上市。
【 在 CQJN 的大作中提到: 】
: 请教一下
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FROM 128.106.237.*