- 主题:Re:诚邀熟悉碳化硅基IGBT制备工艺的朋友
igbt是双极载流子，固有的少子存储效应会恶化关断时间，对sic，3kv以内的优先选择单载流子器件，即sic金半二极管或者JFET，MOS。
从成本考虑，si igbt搭配sic 二极管组成模组也是不错的选择
sic很贵
【 在 georgewongzi 的大作中提到: 】
: 谢谢。其实 1.2KV能做好且量产就不错的
--
修改:seeflying FROM 112.65.12.*
FROM 223.104.213.*
国家在投钱搞这一块。比亚迪，中电都在搞
【 在 chenche8 的大作中提到: 】
: SiC IGBT 确实比较性不大，而且很多问题要解决。SiC MOS做高压性能是很可以的了，虽然成熟还需要时间。但是SiC IGBT就更需要时间咯。
--
FROM 124.200.184.*
这是目前很好的一个方案，适用于高频场合，不过，SBD正向压降大，整流特性并不是很好。
【 在 seeflying 的大作中提到: 】
: igbt是双极载流子，固有的少子存储效应会恶化关断时间，对sic，3kv以内的优先选择单载流子器件，即sic金半二极管或
--
FROM 223.104.44.*
让我们先来对比一下硅基MOSFET和IGBT的差异，再看看材料本身的差异就知道SiC IGBT到底该应用到啥场合
MOSFET: 高频率，流过不同电流时内阻变化不大
IGBT: 高耐压，低频率，流过不同电流时导通压降变化不大
所以IGBT相比于MOS适用于高压大电流低频应用
那么同理SiC，目前SiC MOSFET适合做1200V到3300V器件，那么SiC IGBT应该是适合做3300V及以上的耐压，且大电流的场合，其应用应该是替代晶闸管，用于电力系统上。
楼主你是想应用到啥系统？
--
FROM 121.15.170.*
感谢指教!非常受用。主要应用在电子电力行业，电动车，高压电网，高铁等！
【 在 EmiyaShirou 的大作中提到: 】
: 让我们先来对比一下硅基MOSFET和IGBT的差异，再看看材料本身的差异就知道SiC IGBT到底该应用到啥场合
: MOSFET: 高频率，流过不同电流时内阻变化不大
: IGBT: 高耐压，低频率，流过不同电流时导通压降变化不大
: ...................
--
FROM 223.72.100.*
高压电网和高铁确实适合
电动车就算了，电池电压不高，未来肯定是SiC MOSFET的天下。
【 在 georgewongzi 的大作中提到: 】
: 感谢指教!非常受用。主要应用在电子电力行业，电动车，高压电网，高铁等！
--
FROM 121.15.170.*