TOF测试的是本征迁移率，TFT是场效应迁移率，两者有区别。
TOF一般都是测试较厚的薄膜（1微米以上的厚度），反映的是材料本身对光生载流子的传输特性；而TFT可以测试较薄的薄膜（100 nm以下），但是由于是多层器件，其场效应迁移率大小会受到源、漏、栅极及层间界面等等的影响。


【 在 fullerene (花牛) 的大作中提到: 】
: 【 以下文字转载自 Materials 讨论区 】
: 发信人: fullerene (花牛), 信区: Materials
: 标  题: TOF方法和TFT方法测载子迁移率
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