- 主题:美国提出新版半导体管制法案：MATCH (转载)
6-8个月再加上150天缓冲期？黄瓜菜都凉了。
当初只禁EUV，却没想到给了中国进口DUV长达2年的窗口期，丑帝这帮人的战略思维完全不够看。现在DUV光刻机生产的全链条已经基本被东大搞定了，再等个一年，都搞成熟了，禁止了有啥用啊？
再说了，禁止光刻机有个屁用，又没有禁止成熟制程的芯片，美国觉得他真能监管住全球所有隐蔽的转口贸易吗？大量的芯片还是能被东大源源不断的买到。更何况东大自己的芯片制造商制造14~28nm芯片的产量也越来越高了。根本卡不住东大的脖子，如果早3年，丑帝能齐心协力搞这么一个法案，或许还有机会，现在已经没有机会了。
更何况，东大在稀土一起其他一些关键材料上的反制，也是丑帝一些巨头难以抵抗的，至少在3-5年内抵抗不了，到时候丑帝又没有勇气执行这个法案都是问题啊。
【 在 flaredll 的大作中提到: 】
: 发信人: luckyid (岁月静好), 信区: NewExpress
: 标 题: 美国提出新版半导体管制法案：MATCH
: 发信站: 水木社区 (Mon Apr 6 22:34:11 2026), 站内
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这任务不是交给分出去的新凯莱了吗？华为肯定不能集中精力搞全部的事情，得有其他团队帮忙。
【 在 fzplove 的大作中提到: 】
: 是要自强。
: 但是华为也确实有些问题。
: 他也没有集中精力去攻克集成电路啊。
: ...................
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怎么能说毛都没有呢？华为申请的立体刻蚀晶圆，多重曝光等技术专利应该跟新凯莱有关系吧。
【 在 blacksand 的大作中提到: 】
: 新凯莱就是华为光刻机团队的马甲，华为独立出去的以骗取国家光刻机研发经费为主要目的的组织，做了几年毛都没有。
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FROM 114.254.212.*
新凯来计划在 2026 年推出 5nm 级量测设备（莫干山系列） 及 DUV 光刻机原型，进一步填补先进制程检测空白
【 在 blacksand 的大作中提到: 】
: 这些和雷总刚到手的保时捷外观专利没多大区别。公司专利专员小mm催更催的。做过部门经理的都知道，有摊派的，其实交出去的都是shit.
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已经实现的更多啊，比如EDA软件的替代，高性能示波器，刻蚀机等
【 在 blacksand 的大作中提到: 】
: 第n次听到这种话了，免疫了。
: 只能re这个计划两个字：
: 骗子。
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高工艺用的刻蚀机，为5nm用的。EDA软件谁跟你说的那只能用于28nm？还有示波器也是为7nm以下制程准备的。
【 在 blacksand 的大作中提到: 】
: 没要这些东西啊。鬼子也没卡这些啊。刻蚀机光刻胶几年前就做好了，也不是华为做的。
: EDA现在也只有28nm的，华为tapeout都是断网用盗版。
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EUV不用那么着急，把其他针对5nm的链条上的设备整齐了也很重要。
【 在 blacksand 的大作中提到: 】
: 光刻机这三个字请问在汉字2D语言学上，和你说的这些有什么容易混淆的地方嘛？
: 谁说的？我说的啊。我就是这行的。
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DUV28nm的做出来了啊，先有再说更进一步的事情。我之前回复这个帖子就说了，高制程工艺目前没那么重要，不用着急。重要的是把整个供应链条上的国产化率提高，让对手制裁的效果大打折扣，我们的反击措施才会更有利，让对手玩伤敌八百，自死一千的游戏更合适。
【 在 blacksand 的大作中提到: 】
: duv着急你也没做出来啊。要东西就给人看计划。真想骂人。
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上海微电子的SSA800不是已经向中芯国际，华虹提供工程机，开始试产了吗？对标ASML NXT:1980Di
【 在 blacksand 的大作中提到: 】
: 做出来你贴型号啊。
: asml网站上那么多型号，你找一个对标的
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